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Si8461DB
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.100 at V GS = - 4.5 V
0.118 at V GS = - 2.5 V
0.140 at V GS = - 1.8 V
0.205 at V GS = - 1.5 V
I D
(A) a, e
- 3.7
- 3.4
- 3.1
-2
Q g (Typ.)
9.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switch
? Battery Switch
? Charger Switch
MICRO FOOT
B u mp Side V ie w
Backside V ie w
S
S
S
2
3
G
D
1
4
G
Device Markin g : 8 461
xxx = Date/Lot Tracea b ility Code
Orderin g Information: Si 8 461DB-T2-E1 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T A = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±8
- 3.7 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I S
- 3 a
- 2.5 b
- 1.9 b
- 20
- 1.5 a
- 0.65 b
1.8 a
A
Maximum Power Dissipation
T A = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.1 a
0.78 b
W
T A = 70 °C
0.5 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
Package Reflow Conditions c
VPR
IR/Convection
260
260
°C
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with full copper, t = 10 s.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with minimum copper, t = 10 s.
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.
e. Based on T A = 25 °C.
Document Number: 65001
S09-1502-Rev. B, 10-Aug-09
www.vishay.com
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